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參數資料
| 型號： | MT46V64M4 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 16 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 4 x 4組,雙數據速率同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16梅格× 4 × 4銀行DDR SDRAM內存（1,600 × 4 × 4組，雙數據速率同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數： | 31/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 2410K |
| 代理商： | MT46V64M4 |
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31
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
256Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 7/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
256Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 19
WRITE to READ – Uninterrupting
t
DQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
ADDRESS
Bank
a
,
Col
b
Bank
a
,
Col
n
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
NOTE
: 1. DI
b
= data-in for column
b
.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI
b
.
3. An uninterrupted burst of 4 is shown.
4.tWTR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
5. The READ and WRITE commands are to the same bank. However, the READ and WRITE commands may be
to different devices, in which case tWTR is not required and the READ command could be applied earlier.
6. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
T1n
T6
T6n
t
WTR
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
n
t
DQSS
t
DQSS (MIN)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
n
t
DQSS
t
DQSS (MAX)
CL = 2
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
n
t
DQSS
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V64M8 | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4組,雙數據速率同步動態(tài)RAM) |
| MT48LC16M8A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
| MT48LC32M4A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT46V64M4_1 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Double Data Rate (DDR) SDRAM |
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