- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385639 > MT46V64M8 (Micron Technology, Inc.) 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4組,雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT46V64M8 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4組,雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16梅格× 8 × 4銀行DDR SDRAM內(nèi)存（1,600 × 8 × 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 25/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 2524K |
| 代理商： | MT46V64M8 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁
25
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_A.p65
–
Rev. A; Pub 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 13
READ to PRECHARGE
CK
CK#
COMMAND
6
READ
NOP
PRE
NOP
NOP
ACT
ADDRESS
Bank
a
,
Col
n
Bank
a
,
(
a
or
all
)
Bank
a
,
Row
READ
NOP
PRE
NOP
NOP
ACT
Bank
a
,
Col
n
CL = 2
tRP
tRP
NOTE
: 1. DO
n
= data-out from column
n
.
2. Burst length = 4, or an interrupted burst of 8.
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO
n
.
4. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
5. READ to PRECHARGE equals two clocks, which allows two data pairs of data-out.
6. PRE = PRECHARGE command; ACT = ACTIVE command.
CK
CK#
COMMAND
6
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
DO
n
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
Bank
a
,
(
a
or
all
)
Bank
a
,
Row
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48LC16M8A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
| MT48LC32M4A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC8M16A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。