參數(shù)資料
型號(hào)： MT46V64M8
廠(chǎng)商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4組,雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 16梅格× 8 × 4銀行DDR SDRAM內(nèi)存（1,600 × 8 × 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 30/70頁(yè)
文件大小： 2524K
代理商： MT46V64M8
30
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_A.p65
–
Rev. A; Pub 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 18
Random WRITE Cycles
t
DQSS (NOM)
CK
CK#
COMMAND
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank,
Col
b
Bank,
Col
x
Bank,
Col
n
Bank,
Col
g
WRITE
Bank,
Col
a
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
NOTE
: 1. DI
b
, etc. = data-in for column
b
, etc.
2.
b'
, etc. = the next data-in following DI
b
, etc., according to the programmed burst order.
3. Programmed burst length = 2, 4, or 8 in cases shown.
4. Each WRITE command may be to any bank.
T1n
T3n
T5n
DQ
DQS
DM
DI
b
DI
b'
DI
x
DI
x'
DI
n
DI
n'
DI
a
DI
a'
DI
g
DI
g'
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
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PDF描述
MT48LC16M8A1TG SYNCHRONOUS DRAM
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