- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385639 > MT46V64M8 (Micron Technology, Inc.) 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4組,雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46V64M8 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4組,雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16梅格× 8 × 4銀行DDR SDRAM內(nèi)存（1,600 × 8 × 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2524K |
| 代理商： | MT46V64M8 |
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28
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_A.p65
–
Rev. A; Pub 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 16
Consecutive WRITE to WRITE
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
WRITE
NOP
NOP
ADDRESS
Bank,
Col
b
NOP
Bank,
Col
n
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
NOTE
: 1. DI
b
, etc. = data-in for column
b
, etc.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI
b
.
3. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI
n
.
4. An uninterrupted burst of 4 is shown
.
5. Each WRITE command may be to any bank.
T3n
T1n
DQ
DQS
DM
DI
n
DI
b
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
t
DQSS
t
DQSS (NOM)
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PDF描述 |
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