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參數(shù)資料
| 型號： | MT48V8M16LFF4-10XT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, VFBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 28/69頁 |
| 文件大小： | 6213K |
| 代理商： | MT48V8M16LFF4-10XT |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
34
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 32: READ With Auto Precharge Interrupted by a WRITE
CLK
DQ
DOUT
a
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
NOP
DIN
d
DIN
d + 2
DIN
d + 3
NOP
T7
BANK n
BANK m
ADDRESS
Idle
NOP
DQM
NOTE: 1. DQM is HIGH at T2 to prevent DOUT-a+1 from contending with DIN-d at T4.
BANK n,
COL a
BANK m,
COL d
WRITE - AP
BANK m
Internal
States
t
Page
Active
READ with Burst of 4
Interrupt Burst, Precharge
Page Active
WRITE with Burst of 4
Write-Back
RP - BANK n
t WR - BANK m
CAS Latency = 3 (BANK n)
READ - AP
BANK n
1
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
DIN
d + 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT55L256V36PT-6 | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| MT5C2561EC-45IT | 256K X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CQCC28 |
| M378T3253FG0-CE6 | 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, DMA240 |
| M93C06-DS3TG | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| M93C06-WDS7 | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFF4-8 XT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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