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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT48V8M16LFF4-10XT |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, VFBGA-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 59/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 6213K |
| 代理商： | MT48V8M16LFF4-10XT |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
62
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 49: Single Write – Without Auto Precharge
NOTE:
1. For this example, the burst length = 1, and the WRITE burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. 15ns is required between <DIN m> and the PRECHARGE command, regardless of frequency.
3. x16:A9 and A11 = “Don’t Care”
x32:A8, A9,and A11 = “Don’t Care”
4. PRECHARGE command not allowed else tRAS would be violated.
DISABLE AUTO PRECHARGE
ALL BANKS
tCH
tCL
tRP
tRAS
tRCD
tRC
DQMU, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
t WR
DIN m
tDH
tDS
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP 4
PRECHARGE
ACTIVE
NOP
WRITE
ACTIVE
NOP
tAH
tAS
tAH
tAS
SINGLE BANK
tCKH
tCKS
COLUMN m 3
2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
DON’T CARE
tCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT55L256V36PT-6 | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
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| M93C06-WDS7 | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFF4-8 XT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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