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參數(shù)資料
| 型號： | MT48V8M16LFF4-10XT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, VFBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 51/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 6213K |
| 代理商： | MT48V8M16LFF4-10XT |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
55
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 42: Single Read – Without Auto Precharge
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4, the CAS latency = 2, and the READ burst is followed by a “manual” PRECHARGE.
2. x16:A9 and A11 = “Don’t Care”
x32:A8, A9,and A11 = “Don’t Care”
3. PRECHARGE command not allowed or tRAS would be violated.
ALL BANKS
tCH
tCL
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRCD
CAS Latency
tRC
tOH
DOUT m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
BANK
BANK(S)
BANK
ROW
BANK
tHZ
tCMH
tCMS
NOP
PRECHARGE
ACTIVE
NOP
READ
ACTIVE
NOP
DISABLE AUTO PRECHARGE
SINGLE BANKS
DON’T CARE
UNDEFINED
COLUMN m2
tCKH
tCKS
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DQMU, DQML
CKE
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
COMMAND
3
tCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT55L256V36PT-6 | 256K X 36 ZBT SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| MT5C2561EC-45IT | 256K X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CQCC28 |
| M378T3253FG0-CE6 | 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, DMA240 |
| M93C06-DS3TG | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| M93C06-WDS7 | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFF4-8 XT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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