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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT58L512L18DT-10IT |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 8/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 613K |
| 代理商： | MT58L512L18DT-10IT |
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8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 3.3V I/O, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L512L18D_C.p65 – Rev. 6/01
2001, Micron Technology, Inc.
8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36
3.3V I/O, PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM
x18
x32/x36
SYMBOL
TYPE
DESCRIPTION
2U, 3U, 4U,
DNU
–
Do Not Use: These signals may either be unconnected or wired
5U
to GND to improve package heat dissipation.
1B, 1C, 1E,
1B, 1C, 1R,
NC
–
No Connect: These signals are not internally connected and may
1G, 1K, 1P,
1T, 2T, 3J,
be connected to ground to improve package heat dissipation.
1R, 1T, 2D,
4D, 4L, 5J,
2F, 2H, 2L,
6T, 6U, 7B,
2N, 3J, 4D,
7C, 7R
4L, 4T, 5J,
6E, 6G, 6K,
6M, 6P, 6U,
7B, 7C, 7D,
7H, 7L, 7N,
7R
NF
—
No Function: These pins are internally connected to the die and
have the capacitance of an input pin. It is allowable to leave
these pins unconnected or driven by signals.
BGA PIN DESCRIPTIONS (continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT58L512L18PB-6IT | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| MT58L512L18PS-7.5IT | 512K X 18 CACHE SRAM, 4 ns, PQFP100 |
| MT78740 | RELAY SOCKET |
| MT78745 | RELAY SOCKET |
| MT9KDF12872PZ-1G6XX | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT58L512L18DT-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT58L512L18F | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM |
| MT58L512L18FF-10 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT58L512L18FF-10IT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT58L512L18FF-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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