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參數(shù)資料
| 型號： | PHE83N03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, I2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 12/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 308K |
| 代理商： | PHE83N03LT |
Philips Semiconductors
PHP83N03LT series
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 23 January 2001
12 of 15
9397 750 07815
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
10. Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20010123
Description
Product specification; initial version
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT1N52S | PowerMOS transistor |
| PHX14NQ20T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHF14NQ20T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHX20N06T | N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET |
| PHX45NQ11T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHE840E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EMI suppressor, class X2, metallized polypropylene(0.01-10 uF, 300 VAC, +105C) |
| PHE840EA5100KA01R17 | 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產品類型: 電介質:Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm |
| PHE840EA5100M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CAPACITOR X2 0.01UF 300V |
| PHE840EA5100MA01R17 | 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 20% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產品類型: 電介質:Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm |
| PHE840EA5120KA01R17 | 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.012uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產品類型: 電介質:Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm |
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