參數(shù)資料
型號： PHE83N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, TO-220AB, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/15頁
文件大?。?/td> 308K
代理商： PHE83N03LT
Philips Semiconductors
PHP83N03LT series
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 23 January 2001
5 of 15
9397 750 07815
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
8.
Characteristics
Table 5:
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Symbol Parameter
Static characteristics
V
(BR)DSS
drain-source breakdown voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
D
= 0.25 mA; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
=
55
°
C
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
;
Figure 9
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
T
j
=
55
°
C
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
V
GS
=
±
5 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V; I
D
= 25 A;
Figure 7
and
8
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
V
GS
= 10 V; I
D
= 25 A
T
j
= 25
°
C
25
22
V
V
V
GS(th)
gate-source threshold voltage
1
0.5
1.5
2
2.3
V
V
V
I
DSS
drain-source leakage current
0.05
10
10
500
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
R
DSon
gate-source leakage current
drain-source on-state resistance
10
17
12
20.5
m
m
6.5
9
m
Dynamic characteristics
g
fs
forward transconductance
Q
g(tot)
total gate charge
Q
gs
gate-source charge
Q
gd
gate-drain (Miller) charge
C
iss
input capacitance
C
oss
output capacitance
C
rss
reverse transfer capacitance
t
d(on)
turn-on delay time
t
r
turn-on rise time
t
d(off)
turn-off delay time
t
f
turn-off fall time
Source-drain diode
V
SD
source-drain (diode forward) voltage I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
Figure 13
V
DS
= 25 V; I
D
= 30 A;
Figure 11
I
D
= 30 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V;
Figure 14
55
33
7
12.5
1660
590
380
9
14
75
60
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz;
Figure 12
20
30
95
80
V
DD
= 15 V; I
D
= 1 A; V
GS
= 10 V; R
G
= 6
;
resistive load
0.9
0.95
1.2
V
V
I
S
= 40 A; V
GS
= 0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHT1N52S PowerMOS transistor
PHX14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHF14NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
PHX20N06T N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET
PHX45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHE840E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EMI suppressor, class X2, metallized polypropylene(0.01-10 uF, 300 VAC, +105C)
PHE840EA5100KA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
PHE840EA5100M 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:CAPACITOR X2 0.01UF 300V
PHE840EA5100MA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.010uF 20% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
PHE840EA5120KA01R17 功能描述:薄膜電容器 300volts 0.012uF 10% LS 10mm RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*