參數(shù)資料
型號： PIC16F688-I/SL
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 58/204頁
文件大小： 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 4KX14 14SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 57
系列： PIC® 16F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 20MHz
連通性： UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，POR，WDT
輸入/輸出數(shù)： 12
程序存儲器容量： 7KB（4K x 14）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大小： 256 x 8
RAM 容量： 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 639 (CN2011-ZH PDF)
配用： XLT14SO-1-ND - SOCKET TRANSITION 14SOIC 150/208
AC162061-ND - HEADER INTRFC MPLAB ICD2 20PIN
AC162056-ND - HEADER INTERFACE ICD2 16F688
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁當(dāng)前第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁
PIC16F688
DS41203E-page 148
2009 Microchip Technology Inc.
14.4
DC Characteristics: PIC16F688-E (Extended)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Device Characteristics
Min
Typ
Max
Units
Conditions
VDD
Note
D020E
Power-down Base
Current (IPD)(2)
—0.05
9
μA
2.0
WDT, BOR, Comparators, VREF and
T1OSC disabled
—0.15
11
μA3.0
—0.35
15
μA5.0
D021E
—
1
28
μA
2.0
WDT Current(1)
—2
30
μA3.0
—3
35
μA5.0
D022E
—
42
65
μA
3.0
BOR Current(1)
—85
127
μA5.0
D023E
—
32
45
μA
2.0
Comparator Current(1), both
comparators enabled
—60
78
μA3.0
—120
160
μA5.0
D024E
—
30
70
μA2.0
CVREF Current(1) (high range)
—45
90
μA3.0
—75
120
μA5.0
D025E*
—
39
91
μA2.0
CVREF Current(1) (low range)
—59
117
μA3.0
—98
156
μA5.0
D026E
—
4.5
25
μA
2.0
T1OSC Current(1), 32.768 kHz
—5
30
μA3.0
—6
40
μA5.0
D027E
—
0.30
12
μA
3.0
A/D Current(1), no conversion in
progress
—0.36
16
μA5.0
*
These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only and are not tested.
Note 1:
The peripheral current is the sum of the base IDD or IPD and the additional current consumed when this
peripheral is enabled. The peripheral
Δ current can be determined by subtracting the base IDD or IPD
current from this limit. Max values should be used when calculating total current consumption.
2:
The power-down current in Sleep mode does not depend on the oscillator type. Power-down current is
measured with the part in Sleep mode, with all I/O pins in high-impedance state and tied to VDD.
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