IULP Ultra Low-Power Wake-Up Current —" />
參數(shù)資料
型號(hào)： PIC16F688-I/SL
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 60/204頁
文件大小： 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 4KX14 14SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 57
系列： PIC® 16F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 20MHz
連通性： UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，POR，WDT
輸入/輸出數(shù)： 12
程序存儲(chǔ)器容量： 7KB（4K x 14）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量： 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 639 (CN2011-ZH PDF)
配用： XLT14SO-1-ND - SOCKET TRANSITION 14SOIC 150/208
AC162061-ND - HEADER INTRFC MPLAB ICD2 20PIN
AC162056-ND - HEADER INTERFACE ICD2 16F688
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁當(dāng)前第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁
PIC16F688
DS41203E-page 150
2009 Microchip Technology Inc.
D100
IULP
Ultra Low-Power Wake-Up
Current
—
200
—
nA
See Application Note AN879,
“Using the Microchip Ultra
Low-Power Wake-up Module”
(DS00879)
Capacitive Loading Specs on
Output Pins
D101*
COSC2
OSC2 pin
—
15
pF
In XT, HS and LP modes when
external clock is used to drive
OSC1
D101A* CIO
All I/O pins
—
50
pF
Data EEPROM Memory
D120
ED
Byte Endurance
100K
1M
—
E/W
-40°C
≤ TA ≤ +85°C
D120A
ED
Byte Endurance
10K
100K
—
E/W
+85°C
≤ TA ≤ +125°C
D121
VDRW
VDD for Read/Write
VMIN
—
5.5
V
Using EECON1 to read/write
VMIN = Minimum operating
voltage
D122
TDEW
Erase/Write Cycle Time
—
5
6
ms
D123
TRETD
Characteristic Retention
40
—
Year
Provided no other specifications
are violated
D124
TREF
Number of Total Erase/Write
Cycles before Refresh(4)
1M
10M
—
E/W
-40°C
≤ TA ≤ +85°C
Program Flash Memory
D130
EP
Cell Endurance
10K
100K
—
E/W
-40°C
≤ TA ≤ +85°C
D130A
ED
Cell Endurance
1K
10K
—
E/W
+85°C
≤ TA ≤ +125°C
D131
VPR
VDD for Read
VMIN
—5.5
V
VMIN = Minimum operating
voltage
D132
VPEW
VDD for Erase/Write
4.5
—
5.5
V
D133
TPEW
Erase/Write cycle time
—
2
2.5
ms
D134
TRETD
Characteristic Retention
40
—
Year
Provided no other specifications
are violated
14.5
DC Characteristics:
PIC16F688 -I (Industrial)
PIC16F688 -E (Extended) (Continued)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +85°C for industrial
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for extended
Param
No.
Sym
Characteristic
Min
Typ
Max
Units
Conditions
*
These parameters are characterized but not tested.
Data in “Typ” column is at 5.0V, 25°C unless otherwise stated. These parameters are for design guidance only and are
not tested.
Note
1:
In RC oscillator configuration, the OSC1/CLKIN pin is a Schmitt Trigger input. It is not recommended to use an external
clock in RC mode.
2:
Negative current is defined as current sourced by the pin.
3:
The leakage current on the MCLR pin is strongly dependent on the applied voltage level. The specified levels represent
normal operating conditions. Higher leakage current may be measured at different input voltages.
4:
See Section 9.0 “Data EEPROM and Flash Program Memory Control” for additional information.
5:
Including OSC2 in CLKOUT mode.
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