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參數(shù)資料
| 型號： | PTF10160 |
| 廠商： | ERICSSON |
| 英文描述： | 85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 85瓦，860-960兆赫GOLDMOS場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | PTF10160 |
2
PTF 10160
10
11
12
13
14
15
16
17
18
860
880
900
920
940
960
Frequency (MHz)
G
50
60
70
80
90
100
110
V
DD
= 26.0 V
I
DQ
= 700 mA
Typical P
OUT
, Gain & Efficiency
(at P-1dB)
vs. Frequency
Output Power (W)
Efficiency (%)
Gain (dB)
O
Broadband Test Fixture Performance
4
8
12
16
20
860
865
870
875
880
885
890
895
900
Frequency (MHz)
G
0
10
20
30
0
40
50
60
V
DD
= 26 V
I
DQ
= 700 mA
P
OUT
= 85 W
Gain
Return Loss
Efficiency (%)
E
R
Electrical Characteristics
(100% Tested)
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Breakdown Voltage V
GS
= 0 V, I
D
= 25 mA
V
(BR)DSS
65
—
—
Volts
Drain-Source Leakage Current
V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
—
—
1.0
mA
Gate Threshold Voltage
V
DS
= 10 V, I
D
= 75 mA
V
GS(th)
3.0
—
5.0
Volts
Forward Transconductance
V
DS
= 10 V, I
D
= 3 A
g
fs
—
3.0
—
Siemens
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate-Source Voltage
V
GS
±20
Vdc
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
Total Device Dissipation
Above 25
°
C derate by
P
D
205
1.18
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
STG
–
40 to +150
°
C
Thermal Resistance (T
CASE
= 70
°
C)
R
JC
0.85
°
C/W
Typical Performance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTF10161 | 165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10162 | 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10193 | 12 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor |
| PTF10195 | 125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF102027 | 40 Watts, 925-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTF10161 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10162 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTF10193 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTF10195 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF102002 | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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