參數(shù)資料
型號： PTF10160
廠商： ERICSSON
英文描述： 85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
中文描述： 85瓦，860-960兆赫GOLDMOS場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/7頁
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代理商： PTF10160
7
PTF 10160
Case Outline Specifications
Package 20248
Ericsson Inc.
Microelectronics
Morgan Hill, CA 95037 USA
Specifications subject to change
without notice.
L3
1999, 2000, 2001 Ericsson Inc.
EUS/KR 1522-PTF 10160 Uen Rev. A
12
-
03
-
00
1-877-GOLDMOS (465-3667) United States
+46 8 757 4700 International
e-mail: rfpower@ericsson.com
www.ericsson.com/rfpower
Primary dimensions are inches; alternate dimensions are mm.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF10161 165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10162 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10193 12 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
PTF10195 125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102027 40 Watts, 925-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF10161 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10162 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10193 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10195 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102002 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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