參數(shù)資料
型號(hào)： PTF10161
廠商： ERICSSON
英文描述： 165 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
中文描述： 165瓦特，869-894兆赫GOLDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 288K
代理商： PTF10161
PTF 10161
2
Electrical Characteristics
(per side)
(100% Tested)
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 5 mA
V
(BR)DSS
65
—
—
Volts
Drain-Source Leakage Current
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
—
—
1.0
mA
Gate Threshold Voltage
V
DS
= 10 V, I
D
= 75 mA
V
GS(th)
3.0
4.3
5.0
Volts
Forward Transconductance
V
DS
= 10 V, I
D
= 3 A
g
fs
—
2.5
—
Siemens
Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
(1)
Symbol
Value
Unit
V
DSS
65
Vdc
Gate-Source Voltage
(1)
V
GS
±20
Vdc
Operating Junction Temperature
T
J
200
°C
Total Device Dissipation at
Above 25°C derate by
P
D
500
2.85
Watts
W/°C
Storage Temperature Range
T
STG
–40 to +150
°C
Thermal Resistance (T
CASE
= 70°C)
R
JC
0.35
°C/W
(1)
per side
Typical Performance
Broadband Test Fixture Performance
8
10
12
14
16
865
870
875
Frequency (MHz)
880
885
890
895
G
0
10
-20
20
-10
30
40
50
60
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 1.5 A Total
P
OUT
= 165 W
Return
Loss (dB)
Efficiency (%)
E
R
Gain
10
12
14
16
18
865
870
875
880
885
890
895
Frequency (MHz)
G
25
75
125
175
225
O
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 1.5 A Total
Typical P
OUT
(at P-1dB), Gain & Efficiency
vs. Frequency
Output Power (W)
Gain (dB)
Efficiency (%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF10162 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10193 12 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor
PTF10195 125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102027 40 Watts, 925-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102028 18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF10162 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10193 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10195 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF102002 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF102003 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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