參數(shù)資料
型號： PTF180101S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管10瓦，1805至1880年兆赫，1930-1990 MHz的10瓦，2110年至二一七〇年兆赫
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： PTF180101S
Data Sheet
3
2004-02-03
PTF180101
EDGE Modulation Spectrum Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.18 A, f = 1989.8 MHz
-100
-90
-80
-70
-60
-50
25
30
35
40
Output Power (dBm)
A
0
10
20
30
40
50
E
Efficiency
400 kHz
600 kHz
1
2
3
4
5
6
7
8
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
Quiscent Drain Current (A)
E
.
-110
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
A
EVM and Modulation Spectrum Performance
f = 1989.8 MHz, P
OUT
= 3.5 W
EVM
400 kHz
600 kHz
Typical Performance
measurements taken in broadband test fixture
Gain & Efficiency vs. Output Power
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.18 A, f = 1990 MHz
16
17
18
19
20
21
29
32
35
38
41
44
Output Power (dBm)
G
10
20
30
40
50
60
E
Efficiency
Gain
Output Power, Gain & Efficiency
(at P-1dB)
vs. Frequency
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.18 A
18
19
20
21
22
23
24
25
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020
Frequency (MHz)
G
0
10
20
30
40
50
60
70
O
E
Gain
Efficiency
Output Power
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF180601 LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601C LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601E LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180901E GSM/EDGE RF Power FET
PTF180901F GSM/EDGE RF Power FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF180101S V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10W 1805-1880 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF180101SV1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
PTF180101SV1XTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 3 & 7 - Tape and Reel
PTF180301EV1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF180301EV1R250 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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