參數(shù)資料
型號： PTF180101S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管10瓦，1805至1880年兆赫，1930-1990 MHz的10瓦，2110年至二一七〇年兆赫
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 310K
代理商： PTF180101S
Data Sheet
8
2004-02-03
PTF180101
Reference circuit assembly diagramt
1
(not to scale)
1
Gerber files for this circuit are available upon request.
1930–1990 MHz Operation
Component
C1, C3, C5, C8
C2
C4
C6
C7
C9
R1, R2, R3
Description
Capacitor, 10 pF
Capacitor, 1.7 pF
Capacitor, 2.0 pF
Capacitor, 0.1 μF, 50 V
Capacitor, 100 μF, 50 V
Capacitor, 0.6 pF
Resistor, 220 ohm, 1/4 W
Manufacturer
ATC
ATC
ATC
Digi-Key
Digi-Key
ATC
Digi-Key
P/N or Comment
100B 100
100B 1R7
100A 2R0
P4525-ND
P5182-ND
100A 0R6
220QBK
2.11–2.17 GHz Operation
Component
C1, C3, C5, C8
C2
C4
C6
C7
C9
R1, R2, R3
Description
Capacitor, 10 pF
Capacitor, 0.8 pF
Capacitor, 2.2 pF
Capacitor, 0.1 μF, 50 V
Capacitor, 100 μF, 50 V
Capacitor, 1.0 pF
Resistor, 220 ohm, 1/4 W
Manufacturer
ATC
ATC
ATC
Digi-Key
Digi-Key
ATC
Digi-Key
P/N or Comment
100B 100
100B 0R8
100A 2R2
P4525-ND
P5182-ND
100A 1R0
220QBK
Reference Circuits
(cont.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF180601 LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601C LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601E LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180901E GSM/EDGE RF Power FET
PTF180901F GSM/EDGE RF Power FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF180101S V1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10W 1805-1880 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF180101SV1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
PTF180101SV1XTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 3 & 7 - Tape and Reel
PTF180301EV1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
PTF180301EV1R250 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GLDMOS3&7 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*