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參數資料
| 型號： | PTF180601C |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
| 中文描述： | LDMOS的場效應晶體管60瓦，DCS / PCS的兆赫波段1805至80年，1930-1990兆赫 |
| 文件頁數： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | PTF180601C |
Data Sheet
4
2004-05-03
PTF180601
Typical Performance
(cont.)
Output Power, Gain & Efficiency
(at P-1dB)
vs. Frequency
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.8 A
15
16
17
18
19
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020
Frequency (MHz)
G
35
40
45
50
55
O
E
Gain
Efficiency
Output Power
Power Gain vs. Output Power
V
DD
= 28 V, f = 1990 MHz
15
16
17
18
0
1
Output Power (W)
10
100
P
I
DQ
= 600 mA
I
DQ
= 800 mA
I
DQ
= 1.0 A
Broadband Test Fixture Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.8 A, P
OUT
= 60 W
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
1900
1930
1960
1990
2020
Frequency (MHz)
G
30
40
50
60
70
Gain
Return Loss
Efficiency
E
Broadband Test Fixture Performance
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 0.8 A, P
OUT
= 10 W
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
1900
1930
1960
1990
2020
Frequency (MHz)
G
6
9
12
15
18
21
24
27
30
Gain
Return Loss
Efficiency
E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTF180601E | LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
| PTF180901E | GSM/EDGE RF Power FET |
| PTF180901F | GSM/EDGE RF Power FET |
| PTF181301 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz |
| PTF181301A | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PTF180601E | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
| PTF180901E | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GSM/EDGE RF Power FET |
| PTF180901F | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GSM/EDGE RF Power FET |
| PTF181301 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz |
| PTF181301A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz |
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