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參數(shù)資料
| 型號： | PTF180601C |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
| 中文描述： | LDMOS的場效應(yīng)晶體管60瓦，DCS / PCS的兆赫波段1805至80年，1930-1990兆赫 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | PTF180601C |
Data Sheet
6
2004-05-03
PTF180601
Reference Circuit
Reference Circuit Schematic for 1990 MHz
Frequency
MHz
Z Source
R
Z Load
jX
R
jX
1900
9.9
0.55
3.7
4.1
1920
10.3
0.56
3.6
4.3
1930
10.3
0.50
3.5
4.3
1960
10.7
0.23
3.2
4.5
1990
11.0
–0.15
3.0
4.7
2000
11.1
–0.30
2.9
4.8
2020
11.3
–0.58
2.7
5.0
Broadband Circuit Impedance Data
0
0
0
0
0.1
O
W
A
D
E
N
R
A
O
R
->
E
N
G
T
S
O
W
A
D
O
D
0
.
1900 MHz
2020 MHz
Z Load
Z Source
2020 MHz
1900 MHz
Z Source
Z Load
G
S
D
Z
0
= 50
L1
2.7μH
RF_IN
C4
1.1pF
l
1
l
2
10pF
C5
l
3
C1
10μF
+
V
GG
C3
10pF
R2
220
C2
0.1μF
l
4
220
R1
D.U.T.
l
5
l
7
l
8
10pF
C9
1.3pF
C11
l
9
l
10
0.4pF
C10
RF_OUT
V
DD
l
6
C6
10pF
L2
C7
10μF
+
C8
0.1μF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTF180601E | LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
| PTF180901E | GSM/EDGE RF Power FET |
| PTF180901F | GSM/EDGE RF Power FET |
| PTF181301 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz |
| PTF181301A | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTF180601E | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz |
| PTF180901E | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GSM/EDGE RF Power FET |
| PTF180901F | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GSM/EDGE RF Power FET |
| PTF181301 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz |
| PTF181301A | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz |
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