參數(shù)資料
型號(hào)： PTF191601
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
中文描述： LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管160瓦，1930-1990兆赫
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： PTF191601
Developmental Data Sheet
2 of 4
2004-03-17
Advance Information
PTF191601
DC Characteristics
at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain–Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
DS
= 10 μA
V
(BR)DSS
65
—
—
V
Drain Leakage Current
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
—
—
1.0
μA
On–State Resistance
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.1 V
R
DS(on)
—
0.07
—
Operating Gate Voltage
V
DS
= 28 V, I
DQ
= 2.2 A
V
GS
2.5
3.2
4.0
V
Gate Leakage Current
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0 V
I
GSS
—
—
1.0
μA
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
V
Gate–Source Voltage
V
GS
–0.5 to +12
V
Operating Junction Temperature
T
J
200
°C
Total Device Dissipation
Above 25°C derate by
P
D
583
3.33
W
W/°C
Storage Temperature Range
T
STG
–40 to +150
°C
Thermal Resistance (T
CASE
= 70°C, 130 W CW)
R
θ
JC
0.30
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF191601E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
PTF210301 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210301A LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210301E LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz
PTF210451E BASIC SWITCH
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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