參數(shù)資料
型號(hào)： RC28F160C3TC90
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
封裝： BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 10/72頁(yè)
文件大?。?/td> 1083K
代理商： RC28F160C3TC90
Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
May 2005
Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
Datasheet
18
Order Number: 290645, Revision: 023
4.2
64-Ball Easy BGA Package
Figure 8.
64-Ball Easy BGA Package
1,2
Notes:
1.A19 denotes 16 Mbit; A20 denotes 32 Mbit; A21 denotes 64 Mbit.
2.
Unused address balls are not populated.
4.3
Signal Descriptions
1
2
3
4
5
6
7
8
A
B
C
D
E
F
G
H
Top View- Ball Side
Down
Bottom View - Ball Side
Up
A
1
A
6
A
18
V
PP
V
CC
GND A
10
A
15
A
2
A
17
A
19
(1)
RP# DU A
20
(1)
A
11
A
14
A
3
A
7
WP# WE# DU A
21
(1)
A
12
A
13
A
4
A
5
DU
DQ
8
DQ
1
DQ
9
DQ
3
DQ
12
DQ
6
DU
CE# DQ
0
DQ
10 DQ11
DQ
5
DQ
14
DU
A
0
V
SSQ
DQ
2
DQ
4
DQ
13 DQ15 VSSQ
A
16
A
22
(2) OE# V
CCQ
V
CC
V
SSQ
DQ
7
V
CCQ
DU
A
8
A
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A
15
A
10
GND V
CC
V
PP
A
18
A
6
A
1
A
14
A
11
A
20
(1)
DU RP# A
19
(1)
A
17
A
2
A
13
A
12
A
21
(1)
DU WE# WP# A
7
A
3
A
9
A
8
DU
DU DQ
6
DQ
12
DQ
3
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DU
DU DQ
14
DQ
5
DQ
11 DQ10
DQ
0
CE#
A
16
VSSQ D
15
D
13
DQ
4
DQ
2
V
SSQ
A
0
DU V
CCQ
D
7
V
SSQ
V
CC
V
CCQ
OE# A
22
(2)
DU
A
5
A
4
Table 4.
Signal Descriptions
Symbol
Type
Description
A[MAX:0]
Input
ADDRESS INPUTS
for memory addresses. Address are internally latched during a program or erase
cycle.
8 Mbit: AMAX= A18
16 Mbit: AMAX = A19
32 Mbit: AMAX = A20
64 Mbit: AMAX = A21
DQ[15:0]
Input/
Output
DATA INPUTS/OUTPUTS:
Inputs data and commands during a write cycle; outputs data during read
cycles. Inputs commands to the Command User Interface when CE# and WE# are active. Data is
internally latched. The data pins float to tri-state when the chip is de-selected or the outputs are
disabled.
CE#
Input
CHIP ENABLE:
Active-low input. Activates the internal control logic, input buffers, decoders and sense
amplifiers. CE# is active low. CE# high de-selects the memory device and reduces power consumption
to standby levels.
OE#
Input
OUTPUT ENABLE:
Active-low input. Enables the device’s outputs through the data buffers during a
Read operation.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RC28F160C3BD70 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64
RC4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
RM4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
RC4194D DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14
RM4194D/883B DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RC28F160C3TD70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
RC28F160C3TD70A 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 64BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
RC28F160C3TD70B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MB, ARMAGOSA EBGA 3.0
RC28F256J3A-110 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
RC28F256J3A-115 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
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