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參數(shù)資料
| 型號： | RC28F160C3TC90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 |
| 封裝： | BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 27/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 1083K |
| 代理商： | RC28F160C3TC90 |
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Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
Datasheet
Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
May 2005
Order Number: 290645, Revision: 023
33
7.3
Erase and Program Timings
Table 16.
Erase and Program Timings
7.4
AC I/O Test Conditions
Note:
Input timing begins, and output timing ends, at VCCQ/2. Input rise and fall times (10% to 90%) < 5 ns.
Worst-case speed conditions are when VCC = VCCMin.
Symbol
Parameter
VPP
1.65 V–3.6 V
11.4 V–12.6 V
Unit
Note
Typ
Max
Typ
Max
tBWPB
4-KW Parameter Block
Word Program Time
1, 2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
tBWMB
32-KW Main Block
Word Program Time
1, 2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
tWHQV1 / tEHQV1
Word Program Time for 0.13
and 0.18 Micron Product
1, 2, 3
12
200
8
185
s
Word Program Time for 0.25
Micron Product
1, 2, 3
22
200
8
185
s
tWHQV2 / tEHQV2
4-KW Parameter Block
Erase Time
1, 2, 3
0.5
4
0.4
4
s
tWHQV3 / tEHQV3
32-KW Main Block
Erase Time
1, 2, 3
1
5
0.6
5
s
tWHRH1 / tEHRH1
Program Suspend Latency
1,3
5
10
5
10
s
tWHRH2 / tEHRH2
Erase Suspend Latency
1,3
5
20
5
20
s
Notes:
1.Typical values measured at TA= +25 °C and nominal voltages.
2.Excludes external system-level overhead.
3.Sampled, but not 100% tested.
Figure 11.
AC Input/Output Reference Waveform
V
CCQ
0V
V
CCQ/2
V
CCQ/2
Test Points
Input
Output
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RC28F160C3BD70 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64 |
| RC4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RM4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RC4194D | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14 |
| RM4194D/883B | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RC28F160C3TD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| RC28F160C3TD70A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 64BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| RC28F160C3TD70B | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MB, ARMAGOSA EBGA 3.0 |
| RC28F256J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F256J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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