- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄225025 > RC28F160C3TC90 (INTEL CORP) 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RC28F160C3TC90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 |
| 封裝： | BGA-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/72頁(yè) |
| 文件大小： | 1083K |
| 代理商： | RC28F160C3TC90 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)當(dāng)前第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)
Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
Datasheet
Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
May 2005
Order Number: 290645, Revision: 023
23
ICCES/
ICCWS
VCC Erase Suspend
Current for 0.13 and
0.18 Micron Product
1,4,5
7
15
50
200
50
200
A
CE# = VIH, Erase Suspend in
Progress
VCC Erase Suspend
Current for 0.25
Micron Product
10
25
50
200
50
200
A
IPPR
VPP Read Current
1,4
2
±15
2
±15
2
±15
A
VPP ≤ VCC
50
200
50
200
50
200
A
VPP > VCC
IPPW
VPP Program Current
1,4
0.05
0.1
0.05
0.1
0.05
0.1
mA
VPP =VPP1,
Program in Progress
822
8
22
8
22
mA
VPP = VPP2 (12v)
Program in Progress
IPPE
VPP Erase Current
1,4
0.05
0.1
0.05
0.1
0.05
0.1
mA
VPP = VPP1,
Erase in Progress
822
16
45
1645
mA
VPP = VPP2 (12v) ,
Erase in Progress
IPPES/
IPPWS
VCC Erase Suspend
Current
1,4
0.2
5
0.2
5
0.2
5
A
VPP = VPP1,
Program or Erase Suspend in
Progress
50
200
50
200
50
200
A
VPP = VPP2 (12v) ,
Program or Erase Suspend in
Progress
Notes:
1.All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at nominal VCC, TA = +25 °C.
2.The test conditions VCCMax, VCCQMax, VCCMin, and VCCQMin refer to the maximum or minimum VCC or VCCQ voltage listed
at the top of each column. VCCMax = 3.3 V for 0.25m 32-Mbit devices.
3.Automatic Power Savings (APS) reduces ICCR to approximately standby levels in static operation (CMOS inputs).
4.Sampled, not 100% tested.
5.ICCES or ICCWS is specified with device de-selected. If device is read while in erase suspend, current draw is sum of ICCES and
ICCR. If the device is read while in program suspend, current draw is the sum of ICCWS and ICCR.
Table 6.
DC Current Characteristics (Sheet 2 of 2)
Sym
Parameter
VCC
2.7 V–3.6 V
2.7 V–2.85 V
2.7 V–3.3 V
Unit
Test Conditions
VCCQ
2.7 V–3.6 V
1.65 V–2.5 V
1.8 V–2.5 V
Note
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RC28F160C3BD70 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64 |
| RC4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RM4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RC4194D | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14 |
| RM4194D/883B | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RC28F160C3TD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| RC28F160C3TD70A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 64BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) |
| RC28F160C3TD70B | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MB, ARMAGOSA EBGA 3.0 |
| RC28F256J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F256J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。