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參數(shù)資料
| 型號： | SI3210PPQX-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 2/148頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI3210 MLP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 主要目的： | 接口，模擬前端（AFE） |
| 已用 IC / 零件： | Si3210 |
| 已供物品： | 板，子卡，CD |
| 其它名稱： | 336-1169 |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁
Si3210/Si3211
10
Rev. 1.61
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 4. Linefeed Characteristics
(VDDA, VDDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70°C for F-Grade, –40 to 85°C for G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Loop Resistance Range*
RLOOP
See *Note.
0
—
160
DC Loop Current Accuracy
ILIM = 29 mA, ETBA = 4 mA
–10
—
10
%
DC Open Circuit Voltage
Accuracy
Active Mode; VOC =48V,
VTIP – VRING
–4
—
4
V
DC Differential Output
Resistance
RDO
ILOOP < ILIM
—160
—
DC Open Circuit Voltage—
Ground Start
VOCTO
IRING<ILIM; VRING wrt ground
VOC =48 V
–4
—
4
V
DC Output Resistance—
Ground Start
RROTO
IRING<ILIM; RING to ground
—160
—
DC Output Resistance—
Ground Start
RTOTO
TIP to ground
150
—
k
Loop Closure/Ring Ground
Detect Threshold Accuracy
ITHR = 11.43 mA
–20
—
20
%
Ring Trip Threshold
Accuracy
ITHR = 40.64 mA
–10
—
10
%
Ring Trip Response Time
User Programmable Register 70
and Indirect Register 36
———
Ring Amplitude
VTR
5 REN load; sine wave;
RLOOP =160 VBAT = –75 V
44
—
Vrms
Ring DC Offset
ROS
Programmable in Indirect
Register 19
0—
—
V
Trapezoidal Ring Crest
Factor Accuracy
Crest factor = 1.3
–.05
—
.05
Sinusoidal Ring Crest
Factor
RCF
1.35
—
1.45
Ringing Frequency Accuracy
f = 20 Hz
–1
—
1
%
Ringing Cadence Accuracy
Accuracy of ON/OFF Times
–50
—
50
ms
Calibration Time
CAL to CAL Bit
—
600
ms
Power Alarm Threshold
Accuracy
At Power Threshold = 300 mW
–25
—
25
%
*Note:
DC resistance round trip; 160
corresponds to 2 kft, 26 gauge AWG.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2401FS10-EVB | BOARD EVAL SI2401 UART INTERFACE |
| UPA0J272MPD1TD | CAP ALUM 2700UF 6.3V 20% RADIAL |
| UPA0J222MPD1TD | CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL |
| GBC19DRAS | CONN EDGECARD 38POS R/A .100 SLD |
| CM322522-2R2JL | INDUCTOR CHIP 2.2UH 3225 SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI3210PPT1-EVB | 功能描述:音頻 IC 開發(fā)工具 USE 634-3210-PPQXEVB RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Audio Amplifiers 工具用于評估:TAS5614L 工作電源電壓:12 V to 38 V |
| SI3210PPTX-EVB | 功能描述:音頻 IC 開發(fā)工具 U 634-3210-PPQX-EVB RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Audio Amplifiers 工具用于評估:TAS5614L 工作電源電壓:12 V to 38 V |
| SI3210-QFN | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:Perfroms all BORSCHT functions DC-DC controller provides tracking battery fromm a 3.3-35V input |
| SI3210-TSSOP | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:Perfroms all BORSCHT functions DC-DC controller provides tracking battery fromm a 3.3-35V input |
| SI3211 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PROSLIC PROGRAMMABLE CMOS SLIC/CODEC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION |
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