(VDD
參數(shù)資料
型號(hào)： SI3232PPT0-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù)： 2/128頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： BOARD EVAL W/SI3200 INTERFACE
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： ProSLIC®
主要目的： 接口，模擬前端（AFE）
已用 IC / 零件： Si3232
已供物品： 板，CD
第1頁(yè)當(dāng)前第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)
Si3232
10
Preliminary Rev. 0.96
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 5. Linefeed Characteristics
(VDD, VDD1–VDD4 = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DC Loop Current Accuracy
ILIM =18mA
—
±10
%
DC Open Circuit Voltage
Accuracy
Active Mode; VOC =48V,
VTIP – VRING
——
±4
V
DC Differential Output
Resistance
RDO
ILOOP < ILIM
—
320
—
DC On-Hook Voltage
Accuracy—Ground Start
VOHTO
IRING<ILIM; VRING wrt ground
VRING =–51 V
——
±4
V
DC Output Resistance—
Ground Start
RROTO
IRING<ILIM; RING to ground
—
320
—
DC Output Resistance—
Ground Start
RTOTO
TIP to ground
300
—
k
Loop Closure Detect
Threshold Accuracy
ITHR =13mA
—
±10
±15
%
Ground Key Detect
Threshold Accuracy
ITHR =13mA
—
±10
±15
%
Ring Trip Threshold
Accuracy
ac Detection, VRING =70VPK,
ITH =80mA
—±4
±5
mA
dc detection,
20 V dc offset, ITH =13mA
—±1.5
±2
mA
Ringing Amplitude*
VRING
Open circuit, VBATH =100 V
93
—
VPK
5 REN load, RLOOP =0
VBATH =100 V
82
—
VPK
Sinusoidal Ringing Total
Harmonic Distortion
RTHD
—2—
%
Ringing Frequency Accuracy
f = 16 Hz to 100 Hz
—
±1
%
Ringing Cadence Accuracy
Accuracy of ON/OFF times
—
±50
ms
Calibration Time
CAL to CAL bit
—
600
ms
Loop Voltage Sense
Accuracy
Accuracy of boundaries for each
output Code;
VTIP – VRING =48 V
—±2
±4
%
Loop Current Sense
Accuracy
Accuracy of boundaries for each
output code;
ILOOP =18mA
—±7
±10
%
Power Alarm Threshold
Accuracy
Power Threshold = 300 mW
—
±25
%
*Note: Ringing amplitude is set for 93 V peak using the RINGAMP RAM address and measured at TIP-RING using no series
protection resistance.
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PDF描述
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參數(shù)描述
SI3232PPTX-EVB 功能描述:音頻 IC 開發(fā)工具 Si3232 EVAL BOARD RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Audio Amplifiers 工具用于評(píng)估:TAS5614L 工作電源電壓:12 V to 38 V
SI3232-X-FQ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DUAL PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH LINE MONITORING
SI3232-X-GQ 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:DUAL PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH LINE MONITORING
SI3233 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:PROSLIC㈢ PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH RINGING/BATTERY VOLTAGE GENERATION
Si3233-C-FM 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) Single-Chan SLIC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
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