參數(shù)資料
型號(hào)： SI4123M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù)： 19/36頁(yè)
文件大小： 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4123
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4123
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1108
Si4133
26
Rev. 1.61
Register 8. IF R-Divider
Address Field (A[3:0]) = 1000
Bit
D17 D16 D15 D14 D13 D12 D11 D10
D9D8
D7D6D5D4D3D2D1D0
Name
0
000
0
RIF[12:0]
Bit
Name
Function
17:13
Reserved
Program to zero.
12:0
RIF[12:0]
R-Divider for IF Synthesizer.
RIF can be any value from 7 to 8189 if KP1 = 00
8 to 8189 if KP1 = 01
10 to 8189 if KP1 = 10
14 to 8189 if KP1 = 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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Si4124DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4124DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI4126-BM 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) USE 634-SI4126-F-BM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
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