參數(shù)資料
型號(hào): SI4123M-EVB
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù): 3/36頁(yè)
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描述: BOARD EVALUATION FOR SI4123
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
類(lèi)型: 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品: SI4123
已供物品: 板,CD
其它名稱(chēng): 336-1108
Si4133
Rev. 1.61
11
Figure 6. Typical Transient Response RF1 at 1.6 GHz
with 200 kHz Phase Detector Update Frequency
A Marker
174.04471
us
711.00
Hz
TRACE A: Ch1 FM Main Time
1.424
kHz
Real
160
Hz
/div
176
Hz
Start: 0 s
Stop: 399.6003996 us
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GLAA01B SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4124DY 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Si4124DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4124DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4126 制造商:SILABS 制造商全稱(chēng):SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4126-BM 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) USE 634-SI4126-F-BM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel