DD = 2.7 to 3.6 V, T
型號(hào):
SI4123M-EVB
廠(chǎng)商:
Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù):
33/36頁(yè)
文件大?。?/td>
0K
描述:
BOARD EVALUATION FOR SI4123
標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
類(lèi)型:
合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品:
SI4123
已供物品:
板,CD
其它名稱(chēng):
336-1108
GLAA01B
SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT
SI4122M-EVB
BOARD EVALUATION FOR SI4122
SI4113M-EVB
BOARD EVALUATION FOR SI4113
GLAA01A
SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11
KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
SI4124DY
制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Si4124DY-T1-E3
功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4124DY-T1-GE3
功能描述:MOSFET 40V 20.5A 5.7W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4126
制造商:SILABS 制造商全稱(chēng):SILABS 功能描述:ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4126-BM
功能描述:射頻無(wú)線(xiàn)雜項(xiàng) USE 634-SI4126-F-BM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel