參數(shù)資料
型號: SPI80N04S2-04
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 269K
代理商: SPI80N04S2-04
2004-05-24
Page 4
SPI80N04S2-04
SPP80N04S2-04,SPB80N04S2-04
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
6 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
SPP80N04S2-04
P
t
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
10 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
A
90
SPP80N04S2-04
I
D
4 Max. transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SPP80N04S2-04
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
A
SPP80N04S2-04
I
D
R
DSo)
V
DS
I
D
1 ms
100 μs
t
p = 59.0μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI80N04S2-H4 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N08S2-07R OptiMOS Power-Transistor
SPI80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPI80N04S2-H4 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor
SPI80N06S-08 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPI80N06S08NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262
SPI80N06S-08-TU 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPI80N06S08XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262