參數(shù)資料
型號： SPI80N04S2-04
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： SPI80N04S2-04
2004-05-24
Page 7
SPI80N04S2-04
SPP80N04S2-04,SPB80N04S2-04
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
100
200
300
400
500
600
700
mJ
850
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 80 A pulsed
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
nC
210
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP80N04S2-04
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
V
48
SPP80N04S2-04
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPI80N04S2-H4 OptiMOS Power-Transistor
SPI80N08S2-07R OptiMOS Power-Transistor
SPI80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
SPI80N04S2-H4 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor
SPI80N06S-08 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPI80N06S08NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262
SPI80N06S-08-TU 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPI80N06S08XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262
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