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參數(shù)資料
| 型號： | STB40N20 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET |
| 中文描述： | N溝道200伏- 0.038歐姆- 40A條TO-220/TO-247/D2PAK低MOSFET的柵極電荷STripFET |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | STB40N20 |
STB40NF10L
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
Thermal Resistance Junction-case Max
1
°
C/W
°
C/W
°
C
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-ambient Max
62.5
T
l
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
Min.
100
Typ.
Max.
Unit
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
V
GS
=
±
15V
1
μ
A
μ
A
nA
10
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10V, I
D
= 20 A
V
GS
= 5V,I
D
= 20 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.7
2.5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.028
0.033
0.030
0.036
Parameter
Test Conditions
V
DS
=15V
,
I
D
= 20 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
25
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
2300
pF
Output Capacitance
290
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
125
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB40NS15 | CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
| STB45NF06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB |
| STB45NF3LLT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
| STB45NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STB4NB50-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB40N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:88 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STB40NE03L20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NE03L-20 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET |
| STB40NE03L-20T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NF03L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 40A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
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