參數(shù)資料
型號(hào): STB40N20
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
中文描述: N溝道200伏- 0.038歐姆- 40A條TO-220/TO-247/D2PAK低MOSFET的柵極電荷STripFET
文件頁數(shù): 5/9頁
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代理商: STB40N20
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STB40NF10L
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized On Resistance vs Temperature
NormalizedDrain-Source Breakdown vs
Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB40NS15 CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
STB45NF06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB
STB45NF3LLT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB
STB45NF06 N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STB4NB50-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB40N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):88 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB40NE03L20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NE03L-20 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
STB40NE03L-20T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 40A D2PAK STripFET POWER MOSFET