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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STB40N20 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET |
| 中文描述： | N溝道200伏- 0.038歐姆- 40A條TO-220/TO-247/D2PAK低MOSFET的柵極電荷STripFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | STB40N20 |
3/9
STB40NF10L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 50 V,I
D
= 20 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
25
Max.
Unit
ns
t
r
Rise Time
82
ns
Q
g
Q
gs
Total Gate Charge
V
DD
= 80V, I
D
=40A,V
GS
= 5V
46
64
nC
Gate-Source Charge
12
nC
Q
gd
Gate-Drain Charge
22
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 50 V, I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Vclamp =80V,I
D
= 40 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
64
24
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
t
d(off)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
51
29
53
ns
ns
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
40
A
Source-drain Current (pulsed)
160
A
Forward On Voltage
I
SD
= 40 A, V
GS
= 0
I
SD
= 40 A, di/dt = 100A/
μ
s,
V
DD
= 30V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, Figure 5)
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
110
467
8
ns
nC
A
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB40NS15 | CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
| STB45NF06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB |
| STB45NF3LLT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
| STB45NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STB4NB50-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB40N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:88 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STB40NE03L20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NE03L-20 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET |
| STB40NE03L-20T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NF03L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 40A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
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