參數(shù)資料
型號: T431616E-7CG
廠商: TM Technology, Inc.
英文描述: 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述: 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM
文件頁數(shù): 2/74頁
文件大?。?/td> 781K
代理商: T431616E-7CG
TE
CH
tm
PIN ARRANGEMENT
BGA (
Top View)
1
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 2
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
TSOP-II
(Top View)
DQ1
V
DD
46
45
44
43
41
42
40
36
35
34
33
32
31
30
29
1
2
3
4
6
5
7
8
9
11
15
16
17
18
19
20
V
DDQ
DQ11
DQ10
A8
A7
A9
10
21
22
47
48
49
50
V
SSQ
DQ2
A0
A1
DQ15
DQ14
V
SSQ
Vss
23
24
25
28
27
26
DQ3
DQ0
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
RAS
CS
A11
A10
A2
A3
V
DD
V
SSQ
DQ13
DQ12
DQ9
UDQM
N.C
CLK
CKE
Vss
A6
A5
A4
12
13
14
39
38
37
DQ7
V
DDQ
LDQM
DQ8
V
DDQ
N.C
W E
CAS
50PINTSOP(II)
(400m il x 825mil)
(0.8 m m PIN PITCH)
A
B
C
D
E
F
G
H
VDD
NC
A5
A7
VSS
A8
DQ6
DQ7
CLK
DQ8
DQ9
DQ3
DQ1
NC
DQ15
DQ14
DQ12
VDDQ
DQ4
VDDQ
DQ11
VDDQ
DQ5
VSSQ
UDQM
VSSQ
DQ10
VSSQ
A6
VDD
CKE
A9
A0
A10
NC
NC
VSSQ
DQ13
NC
NC
NC
A11
VSS
A4
NC
NC
VDDQ
DQ0
DQ2
NC
NC
NC
LDQM
WE#
CAS#
RAS#
CS#
A3
A2
A1
J
K
L
M
N
P
R
2
3
4
5
6
7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T431616E-7S 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T431616E-7SG 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T436416A 4M X 16 SDRAM
T436416A-10S 4M X 16 SDRAM
T436416A-10SG Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
T431616E-7S 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T431616E-7SG 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T4322 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4323 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4333 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE