參數(shù)資料
型號(hào)： T431616E-7CG
廠商： TM Technology, Inc.
英文描述： 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM
文件頁數(shù)： 52/74頁
文件大?。?/td> 781K
代理商： T431616E-7CG
TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 52
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 15.2. Interleaved Column Write Cycle
(Burst Length=4, CAS# Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
A10
A0~A9
DQM
DQ
A11
t
CK2
Activate
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
DBw0 DBw1 DBx0
DAx3
DBx1
DBy1 DAy0
Hi-Z
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
RAx
RAx
DAx0DAx1 DAx2
DBy0
DAy1 DBz0
Activate
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank B
t
RCD
CAx
RBw
RBw
CBw
CBx
CBy
CAy
DBz1 DBz2 DBz3
Write
Command
Bank B
t
RRD
t
RP
t
WR
t
RP
CBz
WE#
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T431616E-7S 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T431616E-7SG 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T436416A 4M X 16 SDRAM
T436416A-10S 4M X 16 SDRAM
T436416A-10SG Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
T431616E-7S 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T431616E-7SG 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T4322 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4323 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4333 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
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