參數(shù)資料
型號： T431616E-7CG
廠商： TM Technology, Inc.
英文描述： 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM
文件頁數(shù)： 21/74頁
文件大?。?/td> 781K
代理商： T431616E-7CG
TE
CH
tm
Timing Waveforms
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 21
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 1. AC Parameters for Write Timing
(Burst Length=4, CAS# Latency=2)
A11
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CH
t
CL
t
CK2
t
IS
t
IS
t
IH
Begin Bank A
Begin Bank B
t
IS
t
IH
t
IS
RAx
RBx
RBx
CAx
RBx
CBx
RAy
RAy
CAy
RAz
RAz
RBy
RBy
t
RCD
t
DAL
t
RC
t
IS
t
IH
t
WR
t
RP
t
RRD
Ax0
Ax1
Ax2
Ax3
Bx0
Bx1
Bx2
Bx3
Ay0
Ay1
Ay2
Ay3
Activate
Command
Bank A
Write with
AutoPrecharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Write with
AutoPrecharge
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0-A9
DQM
DQ
Hi-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T431616E-7S 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T431616E-7SG 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T436416A 4M X 16 SDRAM
T436416A-10S 4M X 16 SDRAM
T436416A-10SG Terminal Block End Barrier; For Use With:AB1 Series Terminal Blocks; Accessory Type:End Barrier; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
T431616E-7S 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T431616E-7SG 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM
T4322 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4323 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
T4333 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIANGULAR TYPE
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