參數(shù)資料
型號(hào)： TSC87251G2D-L16CED
廠商： ATMEL CORP
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
中文描述： 16-BIT, OTPROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44
封裝： 10 X 10 MM, PLASTIC, VQFP-44
文件頁(yè)數(shù)： 13/28頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商： TSC87251G2D-L16CED
Qualpack TSC87251G2D
Rev. 0 – October 1999
13
3.3 Wafer Process Qualification
3.3.1 Process Module Reliability
This chapter contains all the information relative to the reliability of the SCMOS3 technology. Results
presented in the following sections concern the reliability of the basic process steps that build up the
technology.
3.3.1.1 Hot carrier qualification
STATIC NMOS DEGRADATION
Channel length in μm
Process corner
Substrate current in μA/μm
VD=5.5v, VG=2.25v
Substrate current in μA/μm
VD=3.6v, VG=1.6v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=5.5v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=3.6v
0.5
Fast
17
0.55
Fast
15
0.6
Fast
13.4
0.65
Fast
12.1
0.7
Fast
11.1
0.5
Typical
14.7
0.35
0.3
0.25
0.22
0.2
0.3
3.2e3
3.7e3
4.2e3
4.7e3
5.2e3
3.8e3
8e7
10e7
12e7
14e7
16e7
10e7
STATIC PMOS DEGRADATION
Channel length in μm
Process corner
Substrate current in μA/μm
VD=5.5v, VG=2.25v
Substrate current in μA/μm
VD=3.6v, VG=1.25v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=5.5v
Lifetime in seconds for 10% shift of
Gm at VD=3.6v
0.5
Fast
0.31
0.55
Fast
0.28
0.6
Fast
0.25
0.65
Fast
0.22
0.7
Fast
0.21
0.5
Typical
0.24
2.3e-3
1.9e-3
1.6e-3
1.4e-3
1.1e-3
1.6e-3
2.7e4
3.1e4
3.5e4
3.9e4
4.3e4
3.5e4
2e7
2.5e7
3e7
3.8e7
4.6e7
3.2e7
EXPERIMENTAL RESULTS IN DYNAMIC MODE: hot carrier degradation effects on inverter
propagation time have been measured on oscillators running at 75 MHz at 7v and 6.5v. Accelerator
factor in voltage is then carried out and expected degradation laws at 5v and 3.3v derived. The following
graphs show the frequency degradation of oscillators running at 5v and 3.3v.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSC87251G2D-L16CB B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
TSC83251G2D-L16CB B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
TSC83251G2D-L16CED B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
TSC87251G2D B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
TSC87251G2D-16CB B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSC87251G2D-L16CER 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
TSC873CT A3 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TSC873CW RPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TSC888AILT 功能描述:電流靈敏放大器 Sense Amplifier 20 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 輸入補(bǔ)償電壓:80 uV 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.7 V 電源電流:350 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-16 封裝:Reel
TSC888BILT 功能描述:電流靈敏放大器 Sense Amplifier 50 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 輸入補(bǔ)償電壓:80 uV 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:2.7 V 電源電流:350 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-16 封裝:Reel
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