參數(shù)資料
型號： TSM1N60S_07
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 600V N-Channel Power MOSFET
中文描述： 600V的N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 323K
代理商： TSM1N60S_07
TSM1N60S
600V N-Channel Power MOSFET
Electrical Characteristics Curve
(Ta = 25
o
C, unless otherwise noted)
4/6
Version: A07
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Threshold Voltage
Maximum Safe Operating Area
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM1N60SCT 600V N-Channel Power MOSFET
TSM1N60S N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60SCTA3 N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM1N60SCTB0 N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
TSM2301B 20V P-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM1N60SCT 功能描述:MOSFET 600V 1A N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1N60SCT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
TSM1N80CW 功能描述:MOSFET 800V N Channel Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1N80SCT 功能描述:MOSFET 800V N Channel Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM1NB60CH C5G 功能描述:MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*