- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄376421 > UPA2680T1E (NEC Corp.) MOSFET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA2680T1E |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOSFET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 中文描述： | MOSFET的肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 212K |
| 代理商： | UPA2680T1E |
Data Sheet G17661EJ2V0DS
7
μ
PA2680T1E
SCHOTTKY BARRIER DIODE TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified)
FORWARD CURRENT vs. FORWARD VOLTAGE
REVERSE CURRENT vs. REVERSE VOLTAGE
F
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
F
- Forward Voltage - V
R
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
T
A
= 125
°
C
100
°
C
75
°
C
25
°
C
V
R
- Reverse Voltage - V
TERMINAL CAPACITANCE vs. REVERSE VOLTAGE
T
10
100
1000
0.1
1
10
100
f = 1.0 MHz
V
R
- Reverse Voltage - V
<R>
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2716GR | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2717GR | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2718GR | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2719GR | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2727UT1A | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA2690T1R | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:COMPLEMENTARY MOSFET Low on-state resistance |
| UPA2690T1R-E2-AX | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:COMPLEMENTARY MOSFET Low on-state resistance |
| UPA2700 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA2700TP Data Sheet | Data Sheet[05/2002] |
| UPA2700GR | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2700GR-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin Power SOP Cut Tape |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。