參數(shù)資料
型號(hào)： UPD44323362F1-C40-FJ1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 32M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM 1M-WORD BY 36-BIT HSTL INTERFACE / REGISTER-REGISTER / LATE WRITE
中文描述： 32兆位CMOS同步快速靜態(tài)RAM的100萬字的36位HSTL接口/寄存器間/晚寫
文件頁數(shù)： 9/28頁
文件大小： 252K
代理商： UPD44323362F1-C40-FJ1
9
Data Sheet M16379EJ4V0DS
μ
PD44323362
AC Characteristics (Recommended Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
AC Characteristics Test Conditions (T
A
Note
= 0 to 70
°
C, V
DD
= 2.375 to 2.625 V, V
DD
Q = 1.5 V)
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
High level input voltage
V
IH
1.25
V
Low level input voltage
V
IL
0.25
V
Input reference voltage
V
REF
0.75
V
Input rise time
T
R
0.5
ns
Input fall time
T
F
0.5
ns
Input and output timing reference level
Cross point
Note
T
A
= Operating ambient temperature
Remark
Parameter tested with RQ = 250
and V
DD
Q = 1.5 V.
Input waveform (rise and fall time = 0.5 ns (20 to 80%))
V
TT
or V
DD
Q / 2
1.25 V
0.25 V
Output waveform
V
TT
or V
DD
Q / 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD44323362 32M-BIT CMOS SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM 1M-WORD BY 36-BIT HSTL INTERFACE / REGISTER-REGISTER / LATE WRITE
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UPD44324362F5-E33-EQ2 36M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION
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