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參數(shù)資料
| 型號： | UPD45128163-A75L |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 128兆位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 39/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 821K |
| 代理商： | UPD45128163-A75L |
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D
3
μ
P
13.2 AC Parameters for Write Timing (Burst Length = 4, /CAS Latency = 3)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T18
T19
T20
T21
CLK
CKE
BA0
A10
ADD
LDQM
DQ
Hi-Z
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
RCD
t
DAL
t
RC
t
RRD
t
RCD
t
RAS
t
RC
t
DPL
t
RP
t
CKH
t
CMS
t
CMH
t
CKS
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BA1
Auto Precharge
Start for Bank C
L
Activate
Command
for Bank C
Activate
Command
for Bank B
Write
Command
for Bank B
Activate
Command
for Bank B
Write with
Auto Precharge
Command
for Bank C
Precharge
Command
for Bank B
Activate
Command
for Bank C
UDQM
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD45128163G5-A10LT-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| UPD45128163G5-A80T-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| UPD45128163G5-A75T-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| UPD45128163G5-A10T-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| UPD45128163G5-A80-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD45128163G5 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:128 MBIT SDRAM |
| UPD45128163G5-A75-9JF | 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| UPD45128841G5-A75-9JF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 16M x 8, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4516161AG5A109NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD4516161AG5-A10-9NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
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