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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD4616112F9-B85LX-BC2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
| 中文描述： | 1,600位CMOS移動(dòng)指明內(nèi)存100萬字由16位溫度范圍 |
| 文件頁數(shù)： | 3/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 212K |
| 代理商： | UPD4616112F9-B85LX-BC2 |
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Data Sheet M15794EJ2V0DS
3
μ
PD4616112-X
Pin Configuration
/xxx indicates active low signal.
48-pin TAPE FBGA (8 x 6)
A
B
C
D
E
F
G
H
1
2
3
4
5
6
Bottom View
6
5
4
3
2
1
Top View
Remark
Refer to
Package Drawing
for the index mark.
A0 - A19
: Address inputs
I/O0 - I/O15
: Data inputs / outputs
/CS
: Chip Select
MODE
: Standby mode
/WE
: Write enable
/OE
: Output enable
/LB, /UB
: Byte data select
V
CC
: Power supply
GND
: Ground
1
2
3
4
5
6
A
/LB
/OE
A0
A1
A2
MODE
B
I/O8
/UB
A3
A4
/CS
I/O0
C
I/O9
I/O10
A5
A6
I/O1
I/O2
D
GND
I/O11
A17
A7
I/O3
V
CC
E
V
CC
I/O12
GND
A16
I/O4
GND
F
I/O14
I/O13
A14
A15
I/O5
I/O6
G
I/O15
A19
A12
A13
/WE
I/O7
H
A18
A8
A9
A10
A11
GND
6
5
4
3
2
1
A
B
MODE
I/O0
A2
/CS
A1
A4
A0
A3
/OE
/UB
/LB
I/O8
C
I/O2
I/O1
A6
A5
I/O10
I/O9
D
V
CC
I/O3
A7
A17
I/O11
GND
E
GND
I/O4
A16
GND
I/O12
V
CC
F
I/O6
I/O5
A15
A14
I/O13
I/O14
G
I/O7
/WE
A13
A12
A19
I/O15
H
GND
A11
A10
A9
A8
A18
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4616112F9-BC80-BC2 | 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT |
| UPD4616112 | 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT |
| UPD4616112-X | 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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參數(shù)描述 |
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