參數(shù)資料
型號(hào)： UPD4616112F9-B85LX-BC2
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
中文描述： 1,600位CMOS移動(dòng)指明內(nèi)存100萬(wàn)字由16位溫度范圍
文件頁(yè)數(shù)： 7/32頁(yè)
文件大?。?/td> 212K
代理商： UPD4616112F9-B85LX-BC2
Data Sheet M15794EJ2V0DS
7
μ
PD4616112-X
DC Characteristics (Recommended Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
Test condition
μ
PD4616112-BxxLX
Unit
MIN.
TYP.
MAX.
Input leakage current
I
LI
V
IN
= 0 V to V
CC
–1.0
+1.0
μ
A
I/O leakage current
I
LO
V
I/O
= 0 V to V
CC
, /CS = V
IH
or
–1.0
+1.0
μ
A
/WE = V
IL
or /OE = V
IH
Operating supply current
I
CCA
/CS = V
IL
, Minimum cycle time, I
I/O
= 0 mA
35
mA
Standby supply current
I
SB1
/CS
≥
V
CC
0.2 V, MODE
≥
V
CC
0.2 V
70
μ
A
I
SB2
/CS
≥
V
CC
0.2 V, MODE
≤
0.2 V
10
High level output voltage
V
OH
I
OH
= –0.5 mA
0.8 V
CC
V
Low level output voltage
V
OL
I
OL
= 1 mA
0.2 V
CC
V
Remarks 1.
V
IN
: Input voltage
V
I/O
: Input / Output voltage
2.
These DC characteristics are in common regardless of product classifications.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD4616112F9-BC80-BC2 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT
UPD4616112 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT
UPD4616112-X 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD4616112F9-BC90-BC2 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT
UPD4664312-X 64M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 4M-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
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參數(shù)描述
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