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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V53C1256162VBLT8EPC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16 |
| 中文描述： | 片256Mbit移動(dòng)SDRAM 2.5伏FBGA封裝16米x 16 |
| 文件頁數(shù)： | 20/46頁 |
| 文件大小： | 541K |
| 代理商： | V53C1256162VBLT8EPC |
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20
V55C2256164VB Rev. 1.0 April 2005
ProMOS TECHNOLOGIES
V55C2256164VB
4.2 Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
BANK A
ACTIVATE
NOP
READ A
WRITE A
NOP
NOP
NOP
DQM
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
Must be Hi-Z before
the Write Command
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 2
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
1 Clk Interval
t
DQZ
t
DQW
: “H” or “L”
NOP
READ A
NOP
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
NOP
DQM
DIN B0
DIN B1
DIN B2
t
CK1,
I/O’s
CAS latency = 2
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
COMMAND
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DOUT A1
DOUT A0
Must be Hi-Z before
the Write Command
t
DQZ
t
DQW
: “H” or “L”
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V53C16125H | HIGH PERFORMANCE 128K X 16 BIT FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C16126H | 9S12C128 TSMC3 GENERAL |
| V53C16126HT40 | DRAM|FAST PAGE|128KX16|CMOS|TSOP|44PIN|PLASTIC |
| V53C16126HT50 | DRAM|FAST PAGE|128KX16|CMOS|TSOP|44PIN|PLASTIC |
| V53C16126HK35 | DRAM|FAST PAGE|128KX16|CMOS|SOJ|40PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V53C1256162VBLT8I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16 |
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