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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V53C364405A |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 3.3 Volt 16M X 4 EDO Page Mode CMOS Dynamic RAM(3.3V 16Mx4 EDO頁面模式CMOS動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 3.3伏特16米x 4 EDO公司頁面模式的CMOS動(dòng)態(tài)RAM（3.3 16Mx4 EDO公司頁面模式的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 7/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | V53C364405A |
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7
V53C364405A Rev. 1.2 June 1998
MOSEL V ITELIC
V53C364405A
31
t
CDD
CAS high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
32
t
ODD
OE high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
Write Cycle
33
t
WCH
Write command hold time
5
–
7
–
10
–
ns
34
t
WP
Write command pulse width
5
–
7
–
10
–
ns
35
t
WCS
Write command setup time
0
–
0
–
0
–
ns
15
36
t
RWL
Write command to RAS lead time
6
–
8
–
10
–
ns
37
t
CWL
Write command to CAS lead time
6
–
8
–
10
–
ns
38
t
DS
Data setup time
0
–
0
–
0
–
ns
16
39
t
DH
Data hold time
5
–
7
–
10
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
40
t
RWC
Read-write cycle time
89
–
109
–
133
–
ns
41
t
RWD
RAS to WE delay time
52
–
65
–
77
–
ns
15
42
t
CWD
CAS to WE delay time
22
–
28
–
32
–
ns
15
43
t
AWD
Column address to WE delay time
32
–
40
–
47
–
ns
15
44
t
OEH
OE command hold time
5
–
7
–
10
–
ns
EDO Page Mode Cycle
45
t
HPC
EDO Page Mode cycle time
16
–
20
–
24
–
ns
46
t
CPA
Access time from CAS precharge
–
22
–
28
–
34
ns
7
47
t
COH
Output data hold time
5
–
5
–
5
–
ns
48
t
RAS
RAS pulse width in EDO page mode
40
200k
50
200k
60
200k
ns
49
t
RHPC
CAS precharge to RAS Delay
22
–
28
–
34
–
ns
50
t
OEP
OE pulse width
5
–
5
–
5
–
ns
51
t
OEHC
OE hold time from CAS high
5
–
5
–
5
–
ns
52
t
WEZ
Output buffer turn-off delay from WE
0
10
0
13
0
15
ns
EDO Page Mode Read-modify-Write Cycle
53
t
PRWC
EDO page mode read-write cycle time
42
–
54
–
63
–
ns
54
t
CPWD
CAS precharge to WE
32
–
41
–
49
–
ns
AC Characteristics
(5,6)
(Continued)
T
A
= 0 to 70 C,V
CC
= 3.3 V
±
0.3V , t
T
= 2 ns
#
Symbol
Parameter
-40
- 50
- 60
Unit
Note
min.
max.
min.
max.
min.
max.
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PDF描述 |
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