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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V53C364405A |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 3.3 Volt 16M X 4 EDO Page Mode CMOS Dynamic RAM(3.3V 16Mx4 EDO頁(yè)面模式CMOS動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 3.3伏特16米x 4 EDO公司頁(yè)面模式的CMOS動(dòng)態(tài)RAM（3.3 16Mx4 EDO公司頁(yè)面模式的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | V53C364405A |
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8
V53C364405A Rev. 1.2 June 1998
MOSEL V ITELIC
V53C364405A
CAS before RAS Refresh Cycle
55
t
CSR
CAS setup time
5
–
5
–
5
–
ns
56
t
CHR
CAS hold time
5
–
5
–
10
–
ns
57
t
RPC
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
5
–
ns
58
t
WRP
Write to RAS precharge time
5
–
5
–
10
–
ns
59
t
WRH
Write hold time referenced to RAS
5
–
5
–
10
–
ns
Self Refresh Cycle (L-versions only)
60
t
RASS
RAS pulse width
100k
100k
_
100k
_
ns
17
61
t
RPS
RAS precharge time
69
–
84
–
104
–
ns
17
62
t
CHS
CAS hold time
-50
–
-50
–
-50
–
ns
17
Test Mode Cycle
63
t
WTS
Write command setup time
5
–
5
–
5
–
ns
18
64
t
WTH
Write command hold time
5
–
5
–
5
–
ns
18
AC Characteristics
(5,6)
(Continued)
T
A
= 0 to 70 C,V
CC
= 3.3 V
±
0.3V , t
T
= 2 ns
#
Symbol
Parameter
-40
- 50
- 60
Unit
Note
min.
max.
min.
max.
min.
max.
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PDF描述 |
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