參數(shù)資料
型號： VS28F016SV
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit(1MBitx16) FLASHFILE MEMORY(16M位FLASHFILE存儲器)
中文描述： 16兆位（1MBitx16）FLASHFILE記憶（1,600位FLASHFILE存儲器）
文件頁數(shù)： 28/50頁
文件大?。?/td> 612K
代理商： VS28F016SV
VS28F016SV, MS28F016SV FlashFile
TM
Memory
5.5 DC Characteristics
V
CC
e
5.0V
g
0.5V, 5.0V
g
0.25V, T
CSE2
e b
40
§
C to
a
125
§
C, T
CSE1
e b
55
§
C to
a
125
§
C
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
Units
Test Conditions
I
LI
Input Load Current
1
g
1
m
A
V
CC
e
V
CC
Max
V
IN
e
V
CC
or GND
V
CC
e
V
CC
Max
V
IN
e
V
CC
or GND
V
CC
e
V
CC
Max
CE
0
Y
, CE
1
Y
, RP
Y
e
V
CC
g
0.2V
BYTE
Y
, WP
Y
e
V
CC
g
0.2V or GND
g
0.2V
V
CC
e
V
CC
Max
CE
0
Y
, CE
1
Y
, RP
Y
e
V
IH
BYTE
Y
, WP
Y
, 3/5
Y
e
V
IH
or V
IL
RP
Y
e
GND
g
0.2V
BYTE
Y
e
V
CC
g
0.2V or
GND
g
0.2V
V
CC
e
V
CC
Max,
CMOS:CE
0
Y
, CE
1
Y
e
GND
g
0.2V
BYTE
Y
e
GND
g
0.2V or
V
CC
g
0.2V
Inputs
e
GND
g
0.2V or
V
CC
g
0.2V
TTL: CE
0
Y
, CE
1
Y
e
V
IL
,
BYTE
Y
e
V
IL
or V
IH,
Inputs
e
V
IL
or V
IH
,
f
e
10 MHz, I
OUT
e
0 mA
V
CC
e
V
CC
Max,
CMOS:CE
0
Y
, CE
1
Y
e
GND
g
0.2V
BYTE
Y
e
GND
g
0.2V or
V
CC
g
0.2V
Inputs
e
GND
g
0.2V or
V
CC
g
0.2V
TTL: CE
0
Y
, CE
1
Y
e
V
IL
,
BYTE
Y
e
V
IL
or V
IH
,
Inputs
e
V
IL
or V
IH
,
f
e
5 MHz, I
OUT
e
0 mA
I
LO
Output Leakage
Current
1
g
10
m
A
I
CCS
V
CC
Standby
Current
1,5
130
m
A
4
mA
I
CCD
V
CC
Deep Power-
Down Current
1
50
m
A
I
CCR
1
V
CC
Read Current
1,4,5
135
mA
I
CCR
2
V
CC
Read Current
1,4,5,6
90
mA
28
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PDF描述
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