參數(shù)資料
型號： VS28F016SV
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit(1MBitx16) FLASHFILE MEMORY(16M位FLASHFILE存儲器)
中文描述： 16兆位（1MBitx16）FLASHFILE記憶（1,600位FLASHFILE存儲器）
文件頁數(shù)： 40/50頁
文件大?。?/td> 612K
代理商： VS28F016SV
VS28F016SV, MS28F016SV FlashFile
TM
Memory
5.9 AC Characteristics for CE
Y
DControlled Command Write Operations
(1)
V
CC
e
3.3V
g
0.15V, T
CSE2
e b
40
§
C to
a
125
§
C, T
CSE1
e b
55
§
C to
a
125
§
C, Load
e
50 pF
Versions
Unit
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
AVAV
Write Cycle Time
120
ns
t
PHWL
RP
Y
Setup to WE
Y
Going Low
3
480
ns
t
VPEH(1,2)
V
PP
Setup to CE
Y
Going High
WE
Y
Setup to CE
Y
Going Low
3,7
100
ns
t
WLEL
3,7
0
ns
t
AVEH
Address Setup to CE
Y
Going High
2,6,7
75
ns
t
DVEH
Data Setup to CE
Y
Going High
2,6,7
75
ns
t
ELEH
CE
Y
Pulse Width
7
75
ns
t
EHDX
Data Hold from CE
Y
High
2,7
10
ns
t
EHAX
Address Hold from CE
Y
High
2,7
10
ns
t
EHWH
WE
Y
hold from CE
Y
High
3
10
ns
t
EHEL
CE
Y
Pulse Width High
7
45
ns
t
GHEL
Read Recovery before Write
3
0
ns
t
EHRL
CE
Y
High to RY/BY
Y
Going Low
3,7
100
ns
t
RHPL
RP
Y
Hold from Valid Status Register (CSR,
GSR, BSR) Data and RY/BY
Y
High
3
0
ns
t
PHEL
RP
Y
High Recovery to CE
Y
Going Low
3,7
480
ns
t
EHGL
Write Recovery before Read
95
ns
t
QVVL(1,2)
V
PP
Hold from Valid Status Register (CSR,
GSR, BSR) Data and RY/BY
Y
High
3
0
m
s
t
EHQV(1)
Duration of Word/Byte Write Operation
3,4,5,11
5
m
s
t
EHQV(2)
Duration of Block Erase Operation
4
0.3
10
sec
40
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PDF描述
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