參數(shù)資料
型號： VS28F016SV
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit(1MBitx16) FLASHFILE MEMORY(16M位FLASHFILE存儲器)
中文描述： 16兆位（1MBitx16）FLASHFILE記憶（1,600位FLASHFILE存儲器）
文件頁數(shù)： 32/50頁
文件大?。?/td> 612K
代理商： VS28F016SV
VS28F016SV, MS28F016SV FlashFile
TM
Memory
5.6 AC CharacteristicsDRead Only Operations
(1)
(Continued)
V
CC
e
5.0V
g
0.25V, T
CSE2
e b
40
§
C to
a
125
§
C, T
CSE1
e b
55
§
C to
a
125
§
C, Load
e
30 pF
V
CC
e
5.0V
g
0.5V, T
CSE2
e b
40
§
C to
a
125
§
C, T
CSE1
e b
55
§
C to
a
125
§
C, Load
e
100 pF
Versions
(4)
VS/MS28F016SV-85
V
CC
g
5%
(5)
VS/MS28F016SV-85
V
CC
g
10%
(6)
VS/MS28F016SV-100
V
CC
g
10%
Unit
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
Read Cycle Time
80
85
100
ns
t
AVQV
Address to Output
Delay (T
ACC
)
80
85
100
ns
t
ELQV
CE
Y
to Output
Delay (T
CE
)
2
80
85
100
ns
t
PHQV
RP
Y
to Output
Delay
400
480
480
ns
t
GLQV
OE
Y
to Output
Delay (T
OE
)
2
30
35
40
ns
t
ELQX
CE
Y
to Output in
Low Z
3
0
0
0
ns
t
EHQZ
CE
Y
to Output in
High Z
3
25
30
35
ns
t
GLQX
OE
Y
to Output in
Low Z
3
0
0
0
ns
t
GHQZ
OE
Y
to Output in
High Z
3
25
30
35
ns
t
OH
Output Hold from
Address, CE
Y
or
OE
Y
Change,
Whichever Occurs
First
3
0
0
0
ns
t
FLQV
t
FHQV
BYTE
Y
to Output
Delay
3
80
85
100
ns
t
FLQZ
BYTE
Y
Low to
Output in High Z
3
25
30
35
ns
t
ELFL
t
ELFH
CE
Y
Low to
BYTE
Y
High or
Low
3
5
5
5
ns
Extended Status Register Reads
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
t
AVEL
Address Setup to CE
Y
Going
Low
3,7,8,9
0
0
0
ns
t
AVGL
Address Setup to OE
Y
Going
Low
3,7,9
0
0
0
ns
32
相關PDF資料
PDF描述
VS50B-12 External Plug-In Power Supply; Series:; Output Voltage:18V; Output Power Max:30W; Output Current:1.67A; No. of Outputs:1; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Power Supply Efficiency:85% RoHS Compliant: Yes
VS601JD Interface IC
VS601JDL Interface IC
VS601JP Interface IC
VS601SD Interface IC
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