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參數資料
| 型號： | W25Q80BVDAAP |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| 封裝： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-8 |
| 文件頁數： | 41/75頁 |
| 文件大小： | 1055K |
| 代理商： | W25Q80BVDAAP |
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W25Q80BV
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9.2.28 Erase / Program Resume (7Ah)
The Erase/Program Resume instruction “7Ah” must be written to resume the Sector or Block Erase
operation or the Page Program operation after an Erase/Program Suspend. The Resume instruction
“7Ah” will be accepted by the device only if the SUS bit in the Status Register equals to 1 and the BUSY
bit equals to 0. After issued the SUS bit will be cleared from 1 to 0 immediately, the BUSY bit will be set
from 0 to 1 within 200ns and the Sector or Block will complete the erase operation or the page will
complete the program operation. If the SUS bit equals to 0 or the BUSY bit equals to 1, the Resume
instruction “7Ah” will be ignored by the device. The Erase/Program Resume instruction sequence is
shown in figure 26.
Resume instruction is ignored if the previous Erase/Program Suspend operation was interrupted by
unexpected power off. It is also required that a subsequent Erase/Program Suspend instruction not to be
issued within a minimum of time of “tSUS” following a previous Resume instruction.
/CS
CLK
DI
(IO
0)
Mode 0
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Instruction (7Ah)
Mode 0
Mode 3
Resume previously
suspended Program or
Erase
Figure 26. Erase/Program Resume Instruction Sequence
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WED3DG649V10D1I | 8M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144 |
| WED3DG649V75D1I | 8M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144 |
| W7NCF08GH10CS8AM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF08GH10CSA4DM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF08GH10CSA9DM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W25Q80BVDAIG | 功能描述:SPI FLASH 8MBIT 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W25Q80BVDAIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSNAG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSNAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSNIG | 功能描述:IC SPI FLASH 8MBIT 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標準包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應商設備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
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